IT之家 3 月 13 日消息，路透社表示，三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導電薄膜（NCF）技術(shù)。
三位直接知情人士稱(chēng)，三星已經(jīng)發(fā)出了處理 MR-MUF 技術(shù)的設備采購訂單?！叭潜仨毑扇∫恍┐胧﹣?lái)提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技術(shù)對三星來(lái)說(shuō)有點(diǎn)像是拋棄自尊心的決定，因為這相當于效仿了 SK 海力士的行為?！?/p>
有分析師表示，三星的 HBM3 芯片生產(chǎn)良率約為 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生產(chǎn)良率約為 60-70%。隨著(zhù) AI 行業(yè)的火熱，業(yè)界對于HBM3 和 HBM3E 需求越來(lái)越高，三星必須盡快做出改變。
消息人士稱(chēng)，三星還在與包括日本長(cháng)瀨集團在內的材料供應商洽談采購 MUF 材料的事宜，但使用這一技術(shù)的高端芯片最早要到明年才能實(shí)現量產(chǎn)，因為三星還需要進(jìn)行大量測試。IT之家注：長(cháng)瀨產(chǎn)業(yè)株式會(huì )社是擁有近 200 年歷史的日本十大商社之一，是全世界最大的專(zhuān)業(yè)化工商社。
三位消息人士還表示，三星計劃在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技術(shù)。
三星回應稱(chēng)，其內部開(kāi)發(fā)的 NCF 技術(shù)是適用于 HBM 產(chǎn)品的“最佳解決方案”，并將用于其 HBM3E 芯片，后續“將按照計劃推進(jìn) HBM3E 產(chǎn)品業(yè)務(wù)”，而英偉達和長(cháng)瀨拒絕置評。
