韓媒 ZDNet 當地時(shí)間 9 日援引行業(yè)報告表示，三星電子已于近日啟動(dòng)下代 1c nm 制程 DRAM 內存量產(chǎn)所需設備的采購，從 Lam Research 泛林集團等主要半導體設備制造商購買(mǎi)的設備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線(xiàn)。
三星電子目前尚未官宣 1c nm（IT之家注：第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線(xiàn)將設置于韓國京畿道平澤 P4 工廠(chǎng)。
業(yè)內人士表示，三星電子 1c nm 量產(chǎn)投資的初期規模不會(huì )很大，這是因為尚需時(shí)日來(lái)實(shí)現這一新制程 DRAM 良率的穩定，待工藝成熟后三星才會(huì )進(jìn)行額外的投資。
此前有消息稱(chēng)三星電子已確認將在下代 HBM4 中應用 1c nm DRAM，可以說(shuō) 1c nm 的表現很大程度上決定了三星能否在競爭激烈的 HBM 內存市場(chǎng)趕上甚至超越目前的領(lǐng)先者 SK 海力士。
