據電子時(shí)報報道，外界雖不看好英特爾芯片制造進(jìn)展，但2021年美國國防部提出的RAMP-C計劃，一開(kāi)始就與英特爾簽下代工協(xié)議，將使用Intel 18A技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)芯片。
此前外媒報道稱(chēng)，英特爾已完成其Intel 18A（1.8nm級）和Intel 20A（2nm級）制造工藝的開(kāi)發(fā)，這些工藝將用于制造公司自己的產(chǎn)品，以及為其英特爾代工服務(wù)（IFS）部門(mén)的客戶(hù)生產(chǎn)的芯片。預計Intel 20A將使英特爾超越臺積電和三星代工廠(chǎng)等競爭對手，英特爾計劃在2024年上半年開(kāi)始使用該節點(diǎn)。
臺媒報道稱(chēng)，若英特爾先進(jìn)制程與封裝技術(shù)藍圖按既定計劃進(jìn)行，不僅2024年超越三星電子目標達成，臺積電延遲至2025年量產(chǎn)的美國新廠(chǎng)，也將面臨美國政府訂單分食的壓力。
此外，若英特爾計劃實(shí)現，半導體與PC、服務(wù)器產(chǎn)業(yè)將有重大變化。
英特爾指出，Intel 18A制程節點(diǎn)先在內部逐步提升產(chǎn)能與解決制程問(wèn)題，進(jìn)而大幅降低外部代工客戶(hù)的風(fēng)險。
半導體廠(chǎng)商表示，肩負美國制造重任的英特爾取得美國支持，RAMP-C計劃將使用Intel 18A技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)芯片，也就是2025年后將量產(chǎn)。
先前外界認為，臺積電美國廠(chǎng)難獲利，必須仰賴(lài)美國政府訂單，應該也取得了美方長(cháng)約承諾，才會(huì )決定建設2座4/3nm制程新廠(chǎng)。然而英特爾以更先進(jìn)的Intel 18A制程搶下美國政府等眾多訂單，未來(lái)或將改變代工市場(chǎng)格局。
