IT之家 6 月 17 日消息，臺積電在2022 年技術(shù)研討會(huì )上介紹了關(guān)于未來(lái)先進(jìn)制程的信息，N3 工藝將于 2022 年內量產(chǎn)，后續還有 N3E、N3P、N3X 等，N2（2nm）工藝將于 2025 年量產(chǎn)。
臺積電首先介紹了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：
3-2 FIN – 最快的時(shí)鐘頻率和最高的性能滿(mǎn)足最苛刻的計算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，性能、功率效率和密度之間的良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度
臺積電稱(chēng)FINFLEX 擴展了 3nm 系列半導體技術(shù)的產(chǎn)品性能、功率效率和密度范圍，允許芯片設計人員使用相同的設計工具集為同一芯片上的每個(gè)關(guān)鍵功能塊選擇最佳選項。
而在 N2 方面，臺積電稱(chēng)這是其第一個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節點(diǎn)，而非現在的 FinFET（鰭式場(chǎng)效應晶體管）。新的制造工藝將提供全面的性能和功率優(yōu)勢。在相同功耗下，N2 比 N3速度快10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。不過(guò)，與 N3E 相比，N2 僅將芯片密度提高了 1.1 倍左右。
N2 工藝帶來(lái)了兩項重要的創(chuàng )新：納米片晶體管（臺積電稱(chēng)之為 GAAFET）和backside power rail。GAA 納米片晶體管的通道在所有四個(gè)側面都被柵極包圍，從而減少了泄漏；此外，它們的通道可以加寬以增加驅動(dòng)電流并提高性能，也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。為了給這些納米片晶體管提供足夠的功率，臺積電的 N2 使用 backside power rail，臺積電認為這是在back-end-of-line (BEOL) 中對抗電阻的最佳解決方案之一。
IT之家了解到，臺積電將 N2 工藝定位于各種移動(dòng) SoC、高性能 CPU 和 GPU。具體表現如何，還需要等到后續測試出爐才能得知。
