5月23日，業(yè)內首款存算一體大算力AI元器件在南京后摩智能公司成功點(diǎn)亮，并成功跑通智能駕駛算法模型。該器件基于架構創(chuàng )新，采用SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）作為存算一體介質(zhì)，通過(guò)存儲單元和計算單元的深度融合，實(shí)現了高性能和低功耗，樣片算力達20TOPS，可擴展至200TOPS，計算單元能效比高達20TOPS/W。與傳統架構下的大算力器件相比，它在算力、能效比等方面都具有顯著(zhù)的優(yōu)勢。
在智能駕駛等計算場(chǎng)景中，除了對算力需求高外，對器件的功耗和散熱也有很高的要求。目前，常規架構器件設計中，內存系統的性能提升速度大幅落后于處理器的性能提升速度，有限的內存帶寬無(wú)法保證數據高速傳輸，無(wú)法滿(mǎn)足高級別智能駕駛的計算需求。其次，數據來(lái)回傳輸又會(huì )產(chǎn)生巨大的功耗。
為此，后摩智能通過(guò)走差異化創(chuàng )新之路，在國內率先通過(guò)底層架構創(chuàng )新，進(jìn)行大算力AI器件設計。研發(fā)人員根據傳統存儲器件重新設計電路、單元陣列、工具鏈等，同時(shí)突破了多項物理和結構上的技術(shù)難題。
據悉，該款器件采用22納米成熟工藝制程，在提升能效比的同時(shí)，還能有效把控制造成本。同時(shí)，首次在存內計算架構上跑通了智能駕駛場(chǎng)景下多場(chǎng)景、多任務(wù)算法模型，為高級別智能駕駛提供了一條全新的技術(shù)路徑。未來(lái)有可能用W級別的功耗提供P級別的計算能力，更好地滿(mǎn)足高級別智能駕駛時(shí)代的需求。此外，在靈活性方面，它不但支持市面上的主流算法，還可以支持不同客戶(hù)定制，更加適配于算法的高速迭代。
