消息表明三星有望從其第10代NAND開(kāi)始采用長(cháng)江存儲的專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。
此前消息表明，長(cháng)江存儲已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層，使用了Xtacking 4.0架構，成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現了最高的垂直柵密度。盡管長(cháng)江存儲此前并未公開(kāi)披露新架構以及新款閃存的信息，但是目前已經(jīng)正式上市開(kāi)售的新款致態(tài)TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已經(jīng)確認搭載該款新架構閃存，也成為了國產(chǎn)存儲的里程碑時(shí)刻。而據外媒消息表明，三星有望從其第10代NAND開(kāi)始采用長(cháng)江存儲的專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。
長(cháng)江存儲四年前率先將晶棧（Xtacking）架構混合鍵合技術(shù)應用于3D NAND閃存，伴隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展，長(cháng)存也在這一技術(shù)上積累了大量專(zhuān)利。三星在之前的NAND閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結構，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過(guò)當層數超過(guò)400層時(shí)，下層外圍電路的壓力會(huì )影響可靠性。改用混合鍵合技術(shù)后，消除了對凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
三星的目標是在2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長(cháng)江存儲進(jìn)行專(zhuān)利協(xié)議的談判。據了解，目前Xperi、長(cháng)江存儲、以及臺積電擁有大多數混合鍵合技術(shù)的專(zhuān)利。三星之所以選擇與長(cháng)江存儲合作，很大程度上是因為接下來(lái)的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過(guò)后者的專(zhuān)利，SK海力士可能面臨相同的處境。
