IT之家 9 月 16 日消息，將半導體工廠(chǎng)搬到太空去，固然聽(tīng)起來(lái)像是科幻小說(shuō)中的情節，而在不久的將來(lái)將真正成為現實(shí)。
在太空中生產(chǎn)半導體產(chǎn)品有著(zhù)諸多優(yōu)勢，尤其是生產(chǎn)基于 3D 氧化物的可變電阻式存儲器（RRAM），可以明顯縮短在地球上的生產(chǎn)周期、降低生產(chǎn)成本。
3D 半導體器件和傳統 2D RAM 器件的不同之處在于，并非采用傳統的平坦布置，而是一層層地堆疊存儲單元，從而允許在單個(gè)器件中具有更小的占用面積和更多的存儲器存儲。
該項目主要參與者包括網(wǎng)名“Daphne”的 Ying-Chen Chen，目前已經(jīng)聯(lián)合學(xué)術(shù)界和工業(yè)界，共同制定在太空中建造半導體器件的藍圖。她是亞利桑那州立大學(xué)富爾頓工程學(xué)院的教授，也是這項 NASA 研究的聯(lián)合主要研究者。
一名研究人員在太空中設置實(shí)驗設備，以了解微重力釬焊合金的影響。
該項目由 CHIPS 法案和美國宇航局的 In Space Production Applications 項目資助。
該項目由首席研究員、NASA 高級材料工程師柯蒂斯?希爾（Curtis Hill）領(lǐng)導，利用太空失重環(huán)境下簡(jiǎn)化甚至完全繞過(guò)蝕刻步驟。IT之家注：蝕刻是在芯片表面加深溝槽以為其導電金屬觸點(diǎn)留出足夠空間的一步。
科學(xué)家表示在地球環(huán)境下，由于要補償來(lái)自重力的壓力，半導體芯片薄膜材料層通常比較厚，因此需要進(jìn)行蝕刻；而在太空失重環(huán)境下，可以在太空中使用更薄的薄膜層，從而在制造過(guò)程中形成足夠深的溝槽，從而可以繞過(guò)蝕刻步驟。
