據了解，當今數據生產(chǎn)呈現爆炸式增長(cháng)，傳統的馮·諾依曼計算架構已成為未來(lái)繼續提升計算系統性能的主要技術(shù)障礙。不久前，中國科學(xué)院上海微系統信息技術(shù)研究所，首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸的相變存儲單元器件。
而相變隨機存取存儲器（PCRAM）可以結合存儲和計算功能，是突破馮·諾依曼計算構架瓶頸的理想路徑選擇。
PCRAM具有非易失性、編程速度快和循環(huán)壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，但其中相變材料與加熱電極之間的接觸面積較大，造成相變存儲器操作功耗較高，如何進(jìn)一步降低功耗成為相變存儲器未來(lái)發(fā)展面臨的最大挑戰之一。
中國科學(xué)院稱(chēng)，這是目前國際上首次采用GNR邊緣接觸實(shí)現極限尺寸的高性能相變存儲單元，器件尺寸接近相變存儲技術(shù)的縮放極限。該新型相變存儲單元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下執行邏輯運算的進(jìn)步，為未來(lái)內存計算開(kāi)辟了新的技術(shù)路徑。
